二硅化钼靶材 MoSi2靶材 磁控溅射靶材 电子束蒸发料 纯度：99.5% 中文名 二硅化钼 熔    点 2030℃ 密    度 6.24g/cm3 分子量 154.13 EINECS 235-231-8 电阻率 21.5×10-6Ω·cm 标签：     北京市硅化钼靶材靶材   北京市硅化钼靶材靶材厂家

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