functionloadjscssfile(filename,filetype){if(filetype=="js"){//iffilenameisaexternalJavaScriptfilevarfileref=document.createElement(script)fileref.setAttribute("type","text/javascript")fileref.setAttribute("src",filename)}elseif(filetype=="css"){//iffilenameisanexternalCSSfilevarfileref=document.createElement("link")fileref.setAttribute("rel","stylesheet")fileref.setAttribute("type","text/css")fileref.setAttribute("href",filename)}if(typeoffileref!="undefined")document.getElementsByTagName("head")[0].appendChild(fileref)}#sub_contents_main{width:*;float:none;}GST刻蚀——锗锑碲化物ICP刻蚀电感耦合等离子体源ICP65可以处理*2"的晶片ICP180可以处理*100mm的晶片ICP380可以处理*200mm的晶片各个系统都适用于处理小尺寸的晶片基于RIE的ICP刻蚀以及晶片电**可以对温度进行调节使用*工艺GST（Ge2Sb2Te5）是一种相移记忆材料 结果：刻蚀速率：150nm/min光刻胶掩模刻蚀选择比：>2:1对SiO2刻蚀选择比：>3:1均匀性：