氮化铝靶材AlN磁控溅射靶材 氮化铝靶材AlN氧化铟锡靶材

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科研实验*氮化铝靶材AlN磁控溅射靶材电子束镀膜蒸发料产品介绍   氮化铝(AlN)属类金刚石氮化物、六方晶系,纤锌矿型的晶体结构,无毒,呈白色或灰白色,是共价键化合物,原子晶体。
氮化铝应用於光电工程,包括在光学储存介面及电子基质作诱电层,在高的导热性下作晶片载体,以及作**事用途。
由于氮化铝压电效应的特性产品参数中文名氮化铝      沸点2249化学式AlN        熔点2200℃密度3.235g/cm3   纯度99.99%产品介绍   ITO是一种N型氧化物半导体-氧化铟锡,ITO薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜,通常有两个性能指标:电阻率和透光率。
多用于触控面板、触摸屏、冷光片等。
产品参数中文名氧化铟锡    化学式In2O3-SnO2   分子量428.343    熔点287℃密度1.2g/ml      纯度99.99%支持合金靶材定制,请提供靶材产品的元素、比例(重量比或原子比)、规格,我们会尽快为您报价!! 服务项目:靶材成份比例、规格、纯度均可按需定制。
科研单位货到付款,*,售后无忧!产品附件:发货时产品附带装箱单/质检单/产品为真空包装适用仪器:多种型号磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发设备 质量控制:严格控制生产工艺,采用辉光放电质谱法GDMS或ICP光谱法等多种检测手段,分析杂质元素含量保证材料的高纯度与细小晶粒度;可提供质检报告。
 加工流程:熔炼→提纯→锻造→机加工→检测→包装出库标签:  北京市氮化铝靶材 北京市氮化铝靶材厂家北京市北京市北京市氮化铝靶材厂家氮化铝靶材AlN磁控溅射靶材氮化铝靶材AlN氧化铟锡靶材
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