铟（In）Indium1，物理性质：原子量：114.818电负性：1.78密度：7.31g/cm3（20℃）（0-100℃）熔点：156.5985℃沸点：2072℃2，规格：化学纯度：高纯铟：In-05纯度99.999%以上，银，铝，*，*，铜，铁，镁，镍，铅，硫，硅，锡，*，锌杂质总含量小于10ppm；超纯铟：In-06纯度99.9999%以上，*，铜，铁，镁，铅，硫，硅，锡杂质总含量小于1ppm；超高纯铟：In-07纯度99.99999%以上，银，*，铜，铁，镁，镍，铅，锌杂质总含量小于0.1ppm；3，物理性状：棒，锭，片，粒，丸。
4，用途：主要用于制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，高纯合金，超低温冷却，晶体管基**以及锗，硅单晶的掺杂剂，铟封，ITO，核辐射安全监控，电接触元件，焊料等。
5，包装：涤纶薄膜包装后塑料薄膜真空封装或聚乙烯瓶真空封装。
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