产品参数 品牌：其他 型号：长禾 加工定制：是 类型：防雷元件测试仪 测量范围：半导体器件电参数 测量频率：50HZ 重量：357KG 尺寸：800x800x1800 诚信立世，感恩回馈，欢迎选择长禾实验室做您忠诚的合作伙伴，共谋发展大计！ 检测项目 覆盖产品 检测能力 参考标准 功率循环试验（PC） IGBT模块 ΔTj=100℃ 电压电流*1800A 12V IEC 客户自定义 高温反偏试验（HTRB） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半导体器件等单管器件 温度*150℃； 电压*2000V 美军标，*，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 高温门极试验（HTGB） MOSFET、SiC MOS等单管器件 温度*150℃； 电压*2000V 美军标，*，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 高温工作寿命试验（HTOL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件 温度*150℃ 电压*2000V 美军标，*，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 低温工作寿命试验（LTOL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件 温度*-80℃ 电压*2000V 美军标，*，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 高温储存试验（HTSL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度*150℃； 美军标，*，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 低温储存试验（LTSL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度*-80℃ 美军标，*，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 高温高湿试验（THB） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度*180℃ 湿度范围：10%~98% 美军标，*，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 高低温循环试验（TC） MOSFET、IGBT、IDIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度范围：-80℃~220℃ 美军标，*，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 间歇寿命试验（IOL）功率循环试验（PC） MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件 ΔTj≧100℃ 电压电流*48V，10A 美军标，*，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 稳态功率试验（SSOL） MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件 ΔTj≧100℃ 电压电流*48V，10A 美军标，*，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 高加速应力试验（HAST） MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度130℃/110℃ 湿度85% 美军标，*，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 *无偏压的高加速应力试验（UHAST） MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度130℃ 湿度85% 美军标，*，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 高温蒸煮试验（PCT） MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度121℃ 湿度* 美军标，*，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 预处理试验（Pre-con） 所有SMD类型器件 设备满足各个等级的试验要求 美军标，*，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 潮气敏感度等级试验（MSL） 所有SMD类型器件 设备满足各个等级的试验要求 美军标，*，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 *可焊性试验（Solderability） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件 有铅、无铅均可进行 美军标，*，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 产品实拍 西安长禾半导体技术有限公司 半导体分立器 技术推广 技术转让 测试检测 公司简介 西安长禾半导体技术有限公司功率器件测试实验室(简称长禾实验室)位于西安市高新技术开发区，是一家专业从事功率半导体器件测试服务的高新技术企业，是国家CNAS 认可实验室，属于专业大功率器件测试服务中心。
长禾实验室拥有尖端的系统设备、专业的技术团队和完善的服务体系。
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长禾实验室专注于功率半导体器件的动、静态参数检测、可靠性检测、失效分析、温循试验、热阻测试等领域的技术服务。
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