四氟化碳贮存注意事项：气瓶使用和检验遵照《气瓶安全监察规程》的规定。
气瓶内的气体不能全部用尽，应该留不小于0.04MPa剩余压力。
四氟化碳对于硅和二氧化硅体系，采用CF4-H2反应离子刻蚀时，通过调节两种气体的比例，可以获得45：1的选择性，这在刻蚀多晶硅栅**上的二氧化硅薄膜时很有用。
四氟化碳是当前微电子工业中应用量高的等离子体蚀刻气体，被广泛应用在硅、氮化硅、磷硅玻璃等薄膜材料的蚀刻。
除此之外，四氟化碳还能在电子电器表面清洗、激光、低温制冷、太阳能电池等领域有着应用。
反应放热后，氟开始和碳化硅进行反应，通入等体积的干燥氮气以稀释氟气，使反应继续进行，生成气体通过液氮冷却的镍制捕集器冷凝，然后慢慢地气化。
四氟化碳有时会用作低温冷却剂。
它可用于电路板的制造，以及制造绝缘物质和半导体。
它是用作气体蚀刻剂及等离子体蚀刻版。
对于硅和二氧化硅体系，采用CF4-H2反应离子刻蚀时，通过调节两种气体的比例，四氟化碳气体价格，可以获得45:1的选择性，这在刻蚀多晶硅栅**上的二氧化硅薄膜时很有用。
四氟化碳（CF4）早就是通过氟碳直接反应法制得的，该方法经过不断的发展与完善，如今已成为工业上制备全的主要的方法之一。
高纯四氟化碳是纯度在99.999%以上的四氟化碳产品，是一种无色无味气体。
高纯四氟化碳不可燃烧，在常温常压条件下化学性质稳定，在密闭容器中遇高热有危险，不溶于水，可溶于苯、等部分溶剂。
以活性炭与氟为原料经氟化反应制备。
在装有活性炭的反应炉中，缓缓通入高浓氟气，并通过加热器加热、供氟速率和反应炉冷却控制反应温度。
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