概述： M5576是一款高集成度、高性能、电流模式PWM控制芯片，离线式AC-DC反激拓扑结构，具备低待机功耗和低成本优点。正常工作下，PWM开关频率处于合理的范围内，在空载或轻载条件下，IC工作在“跳周期模式”来减少开关损耗，从而实现低待机功耗和高转换效率，M5576提供完善的保护功能，包括自动恢复保护、逐周期电流限制（OCP）、过载保护（OLP）、VDD的欠压锁定（UVLO）、过温保护（OTP）和过电压（固定或可调的）保护（OVP），具备抖频功能，改善系统的EMI性能。 特点： ■软启动功能，减少功率MOSFET的VDS应力 ■跳周期模式控制的改进，提*率降低待机功耗 ■抖频功能，改善系统EMI性能 ■*音频噪声 ■65KHz的开关频率     ■完善的保护功能 VDD欠压保护 逐周的过流阈值设置，恒定输出功率 自动恢复式过载保护（OLP） 自动恢复式过温保护（OTP） 锁定型的VDD 过压保护（OVP） 锁定型的过温保护（OTP） 过压保护点OVP通过外部稳压二极管可调 ■采用SOT-23-6和DIP-8封装 应用： ■手机充电器, 上网本充电器 ■笔记本适配器 ■机顶盒电源 ■各种开放式开关电源  产品规格分类： 产品名称 开关频率 封装形式 包装形式 M5576 SR 65KHz SOT-23-6 编带 3K/盘 M5576 PR 65KHz DIP-8 管装 50个/管 2000个/盒 管脚描述： 管脚号 管脚名称 管脚描述 SOT-23-6 DIP-8 6 1 DRV 输出PWM信号驱动外部功率MOSFET 5 2 VDD 芯片供电   3、6 NC 悬空 4 4 SEN 电流检测 3 5 RT 多功能引脚。通过连接一个热敏电阻接地实现过温OTP控制功能，也可通过齐纳管接到VDD调节过压保护 2 7 COMP 芯片内部电路的环路补偿 1 8 GND 接地 极限参数： 项目 参数值 单位 最小值 *值 VDD直流供电电压   30 V VDD 齐纳钳位电压   10 V VDD 直流钳位电流   VDD_Clamp+0.1 mA COMP输入电压 -0.3 7 V SEN输入电压 -0.3 7 V OTP输入电压 -0.3 7 V 最小/*工作结温 -20 150 ℃ 最小/*贮存温度 -55 165 ℃ *温度（焊接，10秒）   260 ℃ 注：如果器件工作条件超出上述各项极限值，可能对器件造成*性损坏。上述参数是工作条件的极限值，不建议器件工作在推荐条件以外的情况。器件长时间工作在极限工作条件下，其可靠性及寿命可能受到影响。 典型应用及内部框图 标签：     深圳市M5576   深圳市M5576厂家

深圳市M5576厂家
供应用于笔记本适配器的M5576替换SD4872(脚位不兼容),SP5875(管脚不容)