倾佳电子专业分销BASiC基本碳化硅SiC功率MOSFE,BASiC基本碳化硅MOSFET模块，BASiC基本单管IGBT，BASiC基本IGBT模块，BASiC基本三电平IGBT模块，BASiC基本I型三电平IGBT模块，BASiC基本T型三电平IGBT模块，BASiC基本混合SiC-IGBT单管，BASiC基本混合SiC-IGBT模块，单通道隔离驱动芯片BTD5350,双通道隔离驱动芯片BTD21520,单通道隔离驱动芯片（带VCE保护）BTD3011,BASiC基本混合SiC-IGBT三电平模块应用于光伏逆变器，双向AC-DC电源，户用光伏逆变器，户用光储一体机，储能变流器，储能PCS,双向LLC电源模块，储能PCS-Buck-Boost电路，光储一体机,PCS双向变流器，三相维也纳PFC电路,三电平LLC直流变换器,移相全桥拓扑等新能源领域。
在光伏逆变器、光储一体机、储能变流器PCS、OBC车载充电器，热管理电动压缩机驱动器，射频电源，PET电力电子变压器，氢燃料空压机驱动，大功率工业电源，工商业储能变流器，变频器，变桨伺服驱动辅助电源，高频逆变焊机，高频伺服驱动，AI服务器电源，算力电源，数据中心电源，机房UPS等领域与客户战略合作，全力支持中国电力电子工业发展！倾佳电子专业分销基本隔离驱动IC产品主要有BTD21520xx是一款双通道隔离门**驱动芯片，输出拉灌峰值电流典型值4A/6A，绝缘电压高达5000Vrms@SOW14封装、3000Vrms@SOP16封装；抗干扰能力强，高达100V/ns；低传输延时至45ns；分别提供3种管脚配置：BTD21520M提供禁用管脚（DIS）和死区设置（DT）,BTD21520S提供禁用管脚（DIS)，BTD21520E提供单一PWM输入；副边VDD欠压保护点两种可选：分别是5.7V和8.2V。
主要规格有BTD21520MAWR，BTD21520MBWR，BTD21520SAWR，BTD21520SBWR，BTD21520EAWR，BTD21520EBWR，‍BTD21520MAPR，BTD21520MBPR，BTD21520SAPR，BTD21520SBPR，BTD21520EAPR，BTD21520EBPR，BTD5350xx是一款单通道隔离门**驱动IC，输出峰值电流典型值10A,绝缘电压高达5000Vrms@SOW8封装，3000Vrms@SOP8封装；抗干扰能力强，高达100V/ns；传输延时低至60ns；分别提供3种管脚配置：BTD5350M提供门**米勒钳位功能，BTD5350S提供独立的开通和关断输出管脚，BTD5350E对副边的正电源配置欠压保护功能；副边VCC欠压保护点两种可选：分别是8V和11V。
主要规格有BTD5350MBPR，BTD5350MCPR，BTD5350MBWR，BTD5350MCWR，BTD5350SBPR，BTD5350SCPR，BTD5350SBWR‍，BTD5350SCWR，BTD5350EBPR，BTD5350ECPR，BTD5350EBWR，BTD5350ECWR，BTD3011R是一款单通道智能隔离门**驱动芯片，采用磁隔离技术；绝缘电压高达5000Vrms@SOW16封装；输出峰值电流典型值15A；管脚功能集成功率器件短路保护和短路保护后软关断功能，集成原副边电源欠压保护；集成副边电源稳压器功能，此稳压器可以根据副边电源输入电压，使驱动管脚自动分配正负压，适用在给电压等级1200V以内的IGBT或者碳化硅MOSFET驱动。
BTL2752x系列是一款双通道、高速、低边门**驱动器，输出侧采用轨到轨方式；拉电流与灌电流能力可高达5A，上升和下降时间低至7ns与6ns；芯片的两个通道可并联使用，以增强驱动电流能力；信号输入脚**可抗-5V的持续负压，支持4个标准逻辑选项：BTL27523带使能双路反相，BTL27523B不带使能双路反相和BTL27524带使能双路同相，BTL27524B不带使能双路同相。
主要规格：BTL27523R，BTL27523BR，BTL27524R，BTL27524BR倾佳电子专业分销基本国产车规级碳化硅(SiC)MOSFET，国产车规级AEC-Q101碳化硅(SiC)MOSFET，国产车规级PPAP碳化硅(SiC)MOSFET，全碳化硅MOSFET模块，Easy封装全碳化硅MOSFET模块，62mm封装全碳化硅MOSFET模块，FullSiCModule，SiCMOSFET模块适用于超级充电桩，V2G充电桩，高压柔性直流输电智能电网(HVDC)，空调热泵驱动，机车辅助电源，储能变流器PCS,光伏逆变器,超高频逆变焊机，超高频伺服驱动器，高速电机变频器等，光伏逆变器专用直流升压模块BOOSTModule，储能PCS变流器ANPC三电平碳化硅MOSFET模块，光储碳化硅MOSFET。
专业分销基本SiC碳化硅MOSFET模块及分立器件，全力支持中国电力电子工业发展！倾佳电子专业分销BASiC基本碳化硅(SiC)MOSFET专用双通道隔离驱动芯片BTD25350，原方带死区时间设置，副方带米勒钳位功能，为碳化硅功率器件SiCMOSFET驱动而优化。
BTD25350适用于以下碳化硅功率器件应用场景：充电桩中后级LLC用SiCMOSFET方案光伏储能BUCK-BOOST中SiCMOSFET方案高频APF，用两电平的三相全桥SiCMOSFET方案空调压缩机三相全桥SiCMOSFET方案OBC后级LLC中的SICMOSFET方案服务器交流侧图腾柱PFC高频臂GaN或者SiC方案基本再度亮相**功率半导体展会——PCIMEurope2023，在德国纽伦堡正式发布第二代碳化硅MOSFET新品。
新一代产品性能大幅提升，产品类型进一步丰富，助力新能源汽车、直流快充、光伏储能、工业电源、通信电源等行业实现更为出色的能源效率和应用可靠性。
BASiC基本第二代SiC碳化硅MOSFET两大主要特色：1.出类拔萃的可靠性：相对竞品较为充足的设计余量来确保大规模制造时的器件可靠性。
BASiC基本第二代SiC碳化硅MOSFET1200V系列击穿电压BV值实测在1700V左右，高于市面主流竞品，击穿电压BV设计余量可以抵御碳化硅衬底外延材料及晶圆流片制程的摆动，能够确保大批量制造时的器件可靠性，这是BASiC基本第二代SiC碳化硅MOSFET**关键的品质.2.可圈可点的器件性能：同规格较小的Crss带来出色的开关性能。
BASiC基本第二代SiC碳化硅MOSFET反向传输电容Crss在市面主流竞品中是比较小的，带来关断损耗Eoff也是市面主流产品中非常出色的，优于部分海外竞品，特别适用于LLC应用.Ciss：输入电容（Ciss＝Cgd＋Cgs）⇒栅**-漏**和栅**-源**电容之和：它影响延迟时间；Ciss越大，延迟时间越长。
BASiC基本第二代SiC碳化硅MOSFET优于主流竞品。
Crss：反向传输电容（Crss＝Cgd）⇒栅**-漏**电容：Crss越小，漏**电流上升特性越好，这有利于MOSFET的损耗，在开关过程中对切换时间起决定作用，高速驱动需要低Crss。
Coss：输出电容（Coss＝Cgd＋Cds）⇒栅**-漏**和漏**-源**电容之和：它影响关断特性和轻载时的损耗。
如果Coss较大，关断dv／dt减小，这有利于噪声。
但轻载时的损耗增加。
基本B2M第二代碳化硅MOSFET器件主要特色：•比导通电阻降低40%左右•Qg降低了60%左右•开关损耗降低了约30%•降低Coss参数，更适合软开关•降低Crss，及提高Ciss/Crss比值,降低器件在串扰行为下误导通风险•**工作结温175℃•HTRB、HTGB+、HTGB-可靠性按结温Tj=175℃通过测试•优化栅氧工艺，提高可靠性•高可靠性钝化工艺•优化终端环设计，降低高温漏电流•AEC-Q101碳化硅MOSFET具有优秀的高频、高压、高温性能，是目前电力电子领域**受关注的宽禁带功率半导体器件。
在电力电子系统中应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件，可提高功率回路开关频率，提升系统效率及功率密度，降低系统综合成本。
适用于高性能变换器电路与数字化先进控制、高效率DC/DC拓扑与控制，双向AC/DC、电动汽车车载充电机（OBC）/双向OBC、车载电源、集成化OBC，双向DC/DC、多端口DC/DC拓扑与控制，直流配网的电力电子变换器。
SiCMOSFET越来越多地用于高压电源转换器，因为它们可以满足这些应用对尺寸、重量和/或效率的严格要求.碳化硅(SiC)MOSFET功率半导体技术代表了电力电子领域的根本性变革。
SiCMOSFET的价格比SiMOSFET或SiIGBT贵。
然而，在评估碳化硅(SiC)MOSFET提供的整体电力电子系统价值时，需要考虑整个电力电子系统和节能潜力。
需要仔细考虑以下电力电子系统节省：第一降低无源元件成本，无源功率元件的成本在总体BOM成本中占主导地位。
提高开关频率提供了一种减小这些器件的尺寸和成本的方法。
第二降低散热要求，使用碳化硅(SiC)MOSFET可显着降低散热器温度高达50%，从而缩小散热器尺寸和/或消除风扇，从而降低设备生命周期内的能源成本。
通常的诱惑是在计算价值主张时仅考虑系统的组件和制造成本。
在考虑碳化硅(SiC)MOSFET的在电力电子系统里的价值时，考虑节能非常重要。
在电力电子设备的整个生命周期内节省能源成本是碳化硅(SiC)MOSFET价值主张的一个重要部分。
倾佳电子专业分销的基本第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圆平台进行开发，比上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面表现更为出色。
在原有TO-247-3、TO-247-4封装的产品基础上，基本还推出了带有辅助源**的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封装的碳化硅MOSFET器件，以更好地满足客户需求。
基本第二代碳化硅MOSFET亮点更低比导通电阻：第二代碳化硅MOSFET通过综合优化芯片设计方案，比导通电阻降低约40%，产品性能显著提升。
更低器件开关损耗：第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了约60%，开关损耗降低了约30%。
反向传输电容Crss降低，提高器件的抗干扰能力，降低器件在串扰行为下误导通的风险。
更高可靠性：第二代碳化硅MOSFET通过更高标准的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核，产品可靠性表现出色。
更高工作结温：第二代碳化硅MOSFET工作结温达到175°C，提高器件高温工作能力。
倾佳电子专业分销的基本第二代碳化硅SiCMOSFET主要有B2M160120H，B2M160120Z，B2M160120R，B2M080120H,B2M080120Z，B2M80120R，B2M018120H，B2M018120Z，B2M020120Y，B2M065120H，B2M065120Z，B2M065120R，B2M040120H，B2M040120Z，B2M040120R，B2M032120Y，B2M018120Z。
适用大功率电力电子装置的SiCMOSFET模块，半桥SiCMOSFET模块，ANPC三电平碳化硅MOSFET模块，T型三电平模块，MPPTBOOSTSiCMOSFET模块。
B2M032120Y国产替代英飞凌IMZA120R030M1H，安森美NTH4L030N120M3S以及C3M0032120K。
B2M040120Z国产替代英飞凌IMZA120R040M1H，安森美NTH4L040N120M3S，NTH4L040N120SC1以及C3M0040120K，意法SCT040W120G3-4AG。
B2M020120Y国产替代英飞凌IMZA120R020M1H，安森美NTH4L020N120SC1，NTH4L022N120M3S以及C3M0021120K，意法SCT015W120G3-4AG。
B2M1000170R国产代替英飞凌IMBF170R1K0M1，安森美NTBG1000N170M1以及C2M1000170J。
B2M065120H国产代替安森美NTHL070N120M3S。
B2M065120Z国产代替英飞凌IMZ120R060M1H，安森美NVH4L070N120M3S，C3M0075120K-A，意法SCT070W120G3-4AG。
碳化硅(SiC)MOSFET出色的材料特性使得能够设计快速开关单**型器件，替代升级双**型IGBT（绝缘栅双**晶体管）开关。
碳化硅(SiC)MOSFET替代IGBT可以得到更高的效率、更高的开关频率、更少的散热和节省空间——这些好处反过来也降低了总体系统成本。
SiC-MOSFET的Vd-Id特性的导通电阻特性呈线性变化，在低电流时SiC-MOSFET比IGBT具有优势。
与IGBT相比，SiC-MOSFET的开关损耗可以大幅降低。
采用硅IGBT的电力电子装置有时不得不使用三电平拓扑来优化效率。
当改用碳化硅(SiC)MOSFET时，可以使用简单的两级拓扑。
因此所需的功率元件数量实际上减少了一半。
这不仅可以降低成本，还可以减少可能发生故障的组件数量。
SiCMOSFET不断改进，并越来越多地加速替代以SiIGBT为主的应用。
SiCMOSFET几乎可用于目前使用SiIGBT的任何需要更高效率和更高工作频率的应用。
这些应用范围广泛，从太阳能和风能逆变器和电机驱动到感应加热系统和高压DC/DC转换器。
随着自动化制造、电动汽车、先进建筑系统和智能电器等行业的发展，对增强这些机电设备的控制、效率和功能的需求也在增长。
碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)的突破重新定义了历史上使用硅IGBT(SiIGBT)进行功率逆变的电动机的功能。
这项创新扩展了几乎每个行业的电机驱动应用的能力。
SiIGBT因其高电流处理能力、快速开关速度和低成本而历来用于直流至交流电机驱动应用。
**重要的是，SiIGBT具有高额定电压、低电压降、低电导损耗和热阻抗，使其成为制造系统等高功率电机驱动应用的明显选择。
然而，SiIGBT的一个显着缺点是它们非常容易受到热失控的影响。
当器件温度不受控制地升高时，就会发生热失控，导致器件发生故障并**终失效。
在高电流、电压和工作条件常见的电机驱动应用中，例如电动汽车或制造业，热失控可能是一个重大的设计风险。
电力电子转换器提高开关频率一直是研发索所追求的方向，因为相关组件（特别是磁性元件）可以更小，从而产生小型化优势并节省成本。
然而，所有器件的开关损耗都与频率成正比。
IGBT由于“拖尾电流”以及较高的门**电容的充电/放电造成的功率损耗，IGBT很少在20KHz以上运行。
SiCMOSFET在更快的开关速度和更低的功率损耗方面提供了巨大的优势。
IGBT经过多年的高度改进，使得实现性能显着改进变得越来越具有挑战性。
例如，很难降低总体功率损耗，因为在传统的IGBT设计中，降低传导损耗通常会导致开关损耗增加。
作为应对这一设计挑战的解决方案，SiCMOSFET具有更强的抗热失控能力。
碳化硅的导热性更好，可以实现更好的设备级散热和稳定的工作温度。
SiCMOSFET更适合较温暖的环境条件空间，例如汽车和工业应用。
此外，鉴于其导热性，SiCMOSFET可以消除对额外冷却系统的需求，从而有可能减小总体系统尺寸并降低系统成本。
由于SiCMOSFET的工作开关频率比SiIGBT高得多，因此它们非常适合需要**电机控制的应用。
高开关频率在自动化制造中至关重要，高精度伺服电机用于工具臂控制、精密焊接和**物体放置。
此外，与SiIGBT电机驱动器系统相比，SiCMOSFET的一个显着优势是它们能够嵌入电机组件中，电机控制器和逆变器嵌入与电机相同的外壳内。
使用SiCMOSFET作为变频器或者伺服驱动功率开关器件的另一个优点是，由于MOSFET的线性损耗与负载电流的关系，它可以在所有功率级别保持效率曲线“平坦”。
SiCMOSFET变频伺服驱动器的栅**电阻的选择是为了首先避免使用外部输出滤波器，以保护电机免受高dv/dt的影响（只有电机电缆长度才会衰减dv/dt）。
SiCMOSFET变频伺服驱动器相较于IGBT变频伺服驱动器在高开关频率下的巨大效率优越性.尽管SiCMOSFET本身成本较高，但某些应用可能会看到整个电机驱动器系统的价格下降（通过减少布线、无源元件、热管理等），并且与SiIGBT系统相比总体上可能更便宜。
这种成本节省可能需要在两个应用系统之间进行复杂的设计和成本研究分析，但可能会提高效率并节省成本。
基于SiC的逆变器使电压高达800V的电气系统能够显着延长电动汽车续航里程并将充电时间缩短一半。
LLC，移相全桥等应用实现ZVS主要和Coss、关断速度和体二**管压降等参数有关。
Coss决定所需谐振电感储能的大小，值越大越难实现ZVS；更快的关断速度可以减少对储能电感能量的消耗，影响体二**管的续流维持时间或者开关两端电压能达到的**值；因为续流期间的主要损耗为体二**管的导通损耗.在这些参数方面，B2M第二代碳化硅MOSFET跟竞品比，B2M第二代碳化硅MOSFET的Coss更小，需要的死区时间初始电流小；B2M第二代碳化硅MOSFET抗侧向电流触发寄生BJT的能力会强一些。
B2M第二代碳化硅MOSFET体二**管的Vf和trr比竞品有较多优势，能减少LLC里面Q2的硬关断的风险。
综合来看，比起竞品，LLC，移相全桥应用中B2M第二代碳化硅MOSFET表现会更好.