离子束沉积VaO( 5 - x )--沉积氧化钒 De*ition 采用钒金属靶材和氧气辅助的离子束沉积 沉积速率：6-50 nm/min 沉积速率将取决于沉积薄膜的电学性能要求。
为获得*的质量，通常使用较低的速率。
• 沉积均匀性：直径8英寸范围内公差小于± 2 %• 电阻率：0.03-2000 欧姆•厘米• 电阻均匀性：公差± 3 %• 零孔隙度二氧化硅覆盖层• 沉积速率：大于20纳米/分钟• 沉积均匀性：直径8英寸范围内公差小于± 2 %• 折射率：632.8nm处为1.4868，1550纳米处为1.4738• 薄膜应力： 小于300兆帕的压应力 标签：     北京市vao5-x   北京市vao5-x厂家

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