离子束Pt>10nm/min(使用Ar溅射刻蚀的反应离子束刻蚀)Pt>50nm/min(使用Ar溅射刻蚀的电感耦合等离子体刻蚀)光学掩模的选择性1:1（RIE）RIE的均匀性(12片晶圆批处理)<+/-7%RIE或ICP的均匀性(单个晶圆4英寸或6英寸)<+/-4/5%对某些（要求较低的）应用，离子束系统中的平行板式反应器("RIE”)是一个很好的选择，可以得到更好的吞吐量成本比。
 120nm的铂金刻蚀(以及400nm的锆钛酸铅PZT反应离子束刻蚀),光学掩模完好提高反应温度可以增加刻蚀速率：Ar/Cl2ICP刻蚀        二氧化硅掩模下铂金的刻蚀速率和选择性    标签：  北京市溅射刻蚀溅射刻蚀铂 北京市溅射刻蚀溅射刻蚀铂厂家北京市北京市北京市溅射刻蚀溅射刻蚀铂厂家供应溅射刻蚀Pt溅射刻蚀铂