离子束 Pt >10 nm/ min (使用Ar溅射刻蚀的反应离子束刻蚀) Pt >50 nm/ min (使用Ar溅射刻蚀的电感耦合等离子体刻蚀) 光学掩模的选择性1:1（RIE） RIE的均匀性(12片晶圆批处理) < +/- 7 % RIE或ICP 的均匀性 (单个晶圆4英寸或 6英寸) < +/- 4 /5 % 对某些（要求较低的）应用，离子束系统中的平行板式反应器("RIE”)是一个很好的选择，可以得到更好的吞吐量成本比。
  120 nm的铂金刻蚀(以及400 nm的锆钛酸铅PZT反应离子束刻蚀), 光学掩模完好 提高反应温度可以增加刻蚀速率： Ar/Cl2 ICP刻蚀           二氧化硅掩模下铂金的刻蚀速率和选择性       标签：     北京市溅射刻蚀溅射刻蚀铂   北京市溅射刻蚀溅射刻蚀铂厂家

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