1、*太阳电池/器件物理研究研究了ZnTe：Cu背接触层/制备工艺对薄膜结构、性质/影响，探讨了Cu原子在薄膜中/行为。
在此基础上制备了CdTe太阳电池，进一步研究各种参数与CdTe太阳电池器件物理/关系；然后以实验测量为基础使用SCAPS软件模拟计算了CdS/CdTe多晶薄膜太阳电池/器件特性，分析了各种影响电池性能/因素，为进一步提高电池转换效率提供了参考。
ZnTe：Cu多晶薄膜/XAFS结果与各种光学、电学性质表征表明：ZnTe：Cu多晶薄膜中存在着与Cu原子相关/ZnTe立方相←→六方相结构转变，并伴随着Te-Cu相/形成，Cu原子/配位数随薄膜掺铜浓度、退火温度/改变而基本不变。
Cu原子浓度不同，进入ZnTe晶格导致/晶格畸变程度不同以与Cu原子在不同温度退火后表现/不同化学价念和它对薄膜.....................共65页2、*太阳电池与相关薄膜/电子辐照特性研究对SnO2：F、ZnTe：Cu化合物半导体多晶薄膜和CdS/CdTe多晶薄膜太阳电池进行电子辐照，研究辐照能量、注量对薄膜性质和器件性能/影响，可明晰多晶薄膜和器件/损伤机制，这对发展新型抗辐照、稳定和低质量功率比/空间太阳电池有重要意义。
对化合物半导体多晶薄膜/电子辐照研究结果表明，SnO2：F薄膜在受到1MeV不同注量/电子辐照后，除了霍尔系数在辐照后出现增长/趋势外，载流子浓度和迁移率均减小，出现了非线性/变化趋势。
而ZnTe：Cu薄膜受到电子辐照后，迁移率与霍尔系数都明显降低，当辐照注量达到1×10