CMOS传感器你知道多少CMOS传感器采用普通半导体电路常用的CMOS工艺，识别颜色的传感器，具有集成度高、功耗小、速度快、本钱低等特性，近几年在宽动态、低照度方面展开疾速。
CMOS即互补性金属氧化物半导体，主要是应用硅和锗两种元素所做成的半导体，经过CMOS上带负电和带正电的晶体管来完成基本的功用。
这两个互补效应所产生的电流即可被处置芯片记载和解读成影像。
复合式磁传感器弱磁探测技术的发展，归根结底依靠的是磁传感器技术的进步。
近年来，随着各种物理效应在磁场测量中的应用，各种弱磁测量的方法已经逐渐趋于完善，而根据不同测量方法，各类磁传感器也应运而生。
从霍尔效应磁传感器、磁通门磁传感器、磁电阻传感器到光泵磁强计和超导*干涉器件(SQUID)，磁传感器技术不断的向前发展。
这其中，为熟知的探测精度达到fT量级的弱磁传感器当属基于超导约瑟夫森效应的超导*干涉器件。
目前，单独的SQUID器件在低温下灵敏度可以达到0.2—2pT，而通过加入耦合线圈磁通放大器，在4.2K灵敏度可以达到10fT以下。
然而，对于低温超导SQUID而言，需要昂贵的低温制冷设备(液氦、低温制冷机等)；高温超导SQUID由于超导材料的相干长度短，在约瑟夫森结的制备方面存在困难。
这些因素都制约了SQUID的大规模应用。
伴随着科技进步和信息技术的发展，除了灵敏度之外，人们也对磁传感器的尺寸、稳定性、功耗、制备工艺的简单化等提出了越来越高的要求。
其中基于磁电阻效应的传感器因其具备高灵敏度、功耗低、体积小、加工技术成熟等优点正在越来越大规模的使用。
其中，颜色传感器，基于巨磁电阻(GMR)及隧道磁电阻(TMR)效应制备的磁电阻传感器因其饱和磁场较低、单位磁场灵敏度高、温度特性稳定等优点，颜色传感器应用，目前已被广泛用于生产应用中。
特别是TMR磁传感器，拥有小型化、低成本、低功耗、高集成性、高相应频率和高灵敏度特性，使其成为未来竞争的制高点。
另一方面，识别颜色传感器，作为高灵敏度传感器而言，GMR和TMR的固有噪声仍然较大，特别是在低频下，传感器存在明显的1/f噪声。
并且在探测精度方面相比于SQUID、光泵磁力仪等高灵敏度磁传感器仍然有较大差距，这也限制了其在生物磁性、等一些弱磁探测领域的应用。
气敏传感器是指能将被侧气体浓度转换为与其成一定关系的电量输出的装置。
气敏传感器的性能必须满足下列条件:(1)能够检渊易气体的允许浓度、有害气体的允许浓度和其他基准设定浓度.并能及时给出报薯、显示与控制信号;(2)对被侧气体以外的共存气体或物质不敏感;(3)长期稳定性好、重复性好；(4)动态特性好、响应迅速;(5)使用、维护方便，价格便宜等。
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