产品参数 加工定制:是 种类:- 规格尺寸:- -:- 产品特点 HIT电池结构,中间衬底为N型晶体硅,通过PECVD方法在P型a-Si和c-Si之间插入一层10nm厚的i-a-Si本征非晶硅,在形成pn结的同时。
背面为20nm厚的本征a-Si:H和N型a-Si:H层,在钝化表面的同时可以形成背表面场。
由于非晶硅的导电性较差,射技术溅射TCO膜进行横向导电,采用丝网印刷技术形成双面电极,使得HIT电池有着对称双面电池结构。
HIT电池是以晶硅太阳能电池为衬底,以非晶硅薄膜为钝化层的电池结构。
种在P型氢化非晶硅和n型氢化非晶硅与n型硅衬底之间增加一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜的电池结构。
结电池,即PN结是在同一种半导体材料上形成的,而异质结电池的PN结采用不同的半导体材料构成。
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