张家港显示屏_金澄光电LED显示屏_专业生产LED屏厂家

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反向漏电流IR在限定条件下反向漏电流为二**管的基本特性,按LED以前的常规规定,指反向电压在5V时的反向漏电流。
随着发光二**管性能的提高,反向漏电流会越来越小。
IR越小越好,产生原因为电子的不规则移动。
(1)芯片本身品质问题原因,显示屏制作商,可能晶片本身切割异常所导致。
(2)银胶点的太多,严重时会导致短路。
外延造成的反向漏电主要由PN结内部结构缺陷所致,芯片制作过程中侧面腐蚀不够或有银胶丝沾附在测面,严禁用有机溶液调配银胶。
以防止银胶通过毛细现象爬到结区。
(3)静电l击伤。
外延材料,芯片制作,专业生产LED屏厂家,器件封装,测试一般5V下反向漏电流为10UA,也可以固定反向电流下测试反向电压。
不同类型的LED反向特性相差大:普绿,普黄芯片反向击穿可达到一百多伏,而普红芯片则在十几二十伏之间。
(4)焊线压力控制不当,造成晶片内崩导致IR升高。
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